SRAM即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。在工業(yè)與科學用的很多子系統(tǒng)，汽車電子等等都用到了SRAM。現(xiàn)代設備中很多都嵌入了幾千字節(jié)的SRAM。實際上幾乎所有實現(xiàn)了電子用戶界面的現(xiàn)代設備都可能用上了SRAM，如數(shù)碼相機、手機、音響合成器等往往用了幾兆字節(jié)的SRAM。 實時信號處理電路往往使用雙口的SRAM。下面介紹一下關(guān)于靜態(tài)存儲SRAM芯片的設計

 

一個SRAM基本單元有0和1兩個電平穩(wěn)定狀態(tài)。

 

SRAM基本單元主要由兩個CMOS反相器組成。兩個反相器的輸入、輸出交叉連接，即第一個反相器的輸出連接第二個反相器的輸入，第二個反相器的輸出連接第一個反相器的輸入。這實現(xiàn)了兩個反相器的輸出狀態(tài)的鎖定、保存，即存儲了1個位元的狀態(tài)。

 

除了6管的SRAM，其他SRAM還有8管、10管甚至每個位元使用更多的晶體管的實現(xiàn)。 這可用于實現(xiàn)多端口（port）的讀寫訪問，如顯存或者寄存器堆的多口SRAM電路的實現(xiàn)。

 

一般說來每個基本單元用的晶體管數(shù)量越少，其占用面積就越小。由于硅芯片的生產(chǎn)成本是相對固定的，因此SRAM基本單元的面積越小，在硅芯片上就可以制造更多的位元存儲，每位元存儲的成本就越低。

 

內(nèi)存基本單元使用少于6個晶體管是可能的— 如3管甚至單管，但單管存儲單元是DRAM，不是SRAM。

 

訪問SRAM時，字線加高電平，使得每個基本單元的兩個控制開關(guān)用的晶體管M5與M6開通，把基本單元與位線連通。位線用于讀或?qū)懟締卧谋４娴臓顟B(tài)。雖然不是必須兩條取反的位線，但是這種取反的位線有助于改善噪聲容限。我司英尚微電子提供不同容量大小的SRAM芯片,并代理進口知名品牌.如VTI，ISIS等.

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