SDRAM之所以成為DRAM就是因?yàn)樗粩噙M(jìn)行刷新（Refresh）才能保留住數(shù)據(jù)，因?yàn)樗⑿拢≧efresh）是DRAM最重要的操作。那么要隔多長時(shí)間重復(fù)一次刷新，目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是：64ms/行數(shù)量。我們在看內(nèi)存規(guī)格時(shí)，經(jīng)常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標(biāo)識，這里的4096與8192就代表這個(gè)芯片中每個(gè)Bank的行數(shù)。刷新命令一次對一行有效，發(fā)送間隔也是隨總行數(shù)而變化，4096行時(shí)為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時(shí)就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。

SDRAM是多Bank結(jié)構(gòu)，例如在一個(gè)具有兩個(gè)Bank的SDRAM的模組中，其中一個(gè)Bank在進(jìn)行預(yù)充電期間，另一個(gè)Bank卻馬上可以被讀取，這樣當(dāng)進(jìn)行一次讀取后，又馬上去讀取已經(jīng)預(yù)充電Bank的數(shù)據(jù)時(shí)，就無需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲器的訪問速度。

SDRAM品牌類目

Type	SDR SDRAM		DDR1 SDRAM		DDR2 SDRAM		DDR3 SDRAM		DDR4 SDRAM
Density	16Mbit—512Mbit		64Mbit—1Gbit		256Mbit—2Gbit		1Gbit—8Gbit		8Gbit
Brand	Chiplus	Etron	UniIC	Etron	UniIC	Etron	JSC	UniIC	3256Mx32                       DDR4