Everspin MR4A08BCMA35 非揮發(fā)性MRAM存儲芯片
2018-05-24 14:53:23
Everspin MR4A08BCMA35 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)。
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。
Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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