據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道，三星電子近日確認已啟動第八代高帶寬內(nèi)存HBM5的研發(fā)工作，并計劃在底層芯片（Base Die）上首次采用2nm制程工藝，打破行業(yè)傳統(tǒng)。
 

在美國加州近期舉行的一場技術(shù)溝通會上，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)相關(guān)負責(zé)人披露了公司在AI存儲領(lǐng)域的最新路線圖：

HBM5（第八代）：其底層芯片將由三星代工部門采用2nm工藝制造。相較于HBM4普遍使用的4nm節(jié)點，2nm工藝可顯著提升能效比和熱管理能力，以更好應(yīng)對AI算力提升帶來的散熱挑戰(zhàn)。核心存儲芯片（Core Die）則繼續(xù)沿用1c（第六代10nm級）工藝。
 

HBM5E（第九代）：三星計劃采取更積極的策略，核心芯片將提前引入1d（第七代10nm級）DRAM工藝。這意味著三星將在短時間內(nèi)完成從1c到1d的跨越，以追求更高的數(shù)據(jù)傳輸密度和存儲性能。

本文關(guān)鍵詞：HBM

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