市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)表示，今年全球半導(dǎo)體資本支出將比去年再增加6%，預(yù)計(jì)三星、英特爾今年資本支出全年平均增長(zhǎng)超過兩位數(shù)，英特爾今年資本支出約為120億美元，，臺(tái)積電則減2%，使得臺(tái)積電今年資本支出約為100億美元，退居第三位。
     IC Insights統(tǒng)計(jì)，今年全球半導(dǎo)體資本支出將高達(dá)723.05億美元。韓國(guó)三星今年資本支出居冠為125億美元，年增長(zhǎng)11%；美國(guó)英特爾約為120億美元，今年資本支出較去年大幅增長(zhǎng)25%，位居第二。臺(tái)積電今年資本支出估約100億美元，居于第三。
     從IC Insights統(tǒng)計(jì)中可以看出，在前十大廠商中有兩家今年資本支出成長(zhǎng)都在兩成以上，分別是格羅方德（GlobalFoundries）的33%與英特爾的年增25%。格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預(yù)計(jì)直接挑戰(zhàn)7nm制程。
     目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺(tái)積電更取得優(yōu)勢(shì)地位；董事長(zhǎng)張忠謀表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)前景不錯(cuò)，預(yù)計(jì)將較去年成長(zhǎng)4%-5%，臺(tái)積電會(huì)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率，預(yù)估今年臺(tái)積電營(yíng)收會(huì)有5%-10%成長(zhǎng)，臺(tái)積電的制程技術(shù)亦超越任何競(jìng)爭(zhēng)者。
     另外，DRAM市況繼續(xù)看好，海力士、三星預(yù)估將增加資本支出16%和11%。另一家存儲(chǔ)器（存儲(chǔ)芯片）廠美光，去年資本支出成長(zhǎng)28%；美光去年底收購(gòu)華亞科后，今年資本支出則年減13%為50億美元。
     此外，晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%，但今年預(yù)估資本支出年減12%為23億美元。至于聯(lián)電去年資本支出估達(dá)28.42億美元新高，今年預(yù)估降3成至20億美元。

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