FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。
 
FRAM性能比EEPROM好的的三個優(yōu)勢：
 
1、壽命，讀寫的次數(shù)比較多， EEPROM和flash都達(dá)不到EEFROM的讀寫次數(shù)；
 
2、功耗，同樣寫入64byte的數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100，這樣功耗越低，電池的使用壽命就越長；
 
3、讀寫速度，F(xiàn)RAM的寫入速度可以達(dá)到納米秒，寫入一個數(shù)據(jù)的時間僅僅是EEPROM的1/3000。這么快的讀寫速度帶來的另一個意想不到的好處就是瞬間斷電的時候，F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)已經(jīng)寫入，而EEPROM肯定數(shù)據(jù)丟失。
 
跟FRAM比EEFROM簡直就是戰(zhàn)五渣啊！可是為什么用FRAM的客戶還是少數(shù)呢？這就要談到價(jià)格問題了。并不是技術(shù)好的產(chǎn)品就會流行，消費(fèi)者更看重性價(jià)比。FRAM的Logic部分比重太大，成本難以降低是一個難點(diǎn)。相比EEPROM，F(xiàn)RAM的存儲容量實(shí)在是有一點(diǎn)捉急。在工藝上，F(xiàn)RAM也很難突破100nm，因此大數(shù)據(jù)的存儲還是更適合留給FLASH或者EEFROM，畢竟兩者分工不同。
 
那么什么樣的應(yīng)用更適合FRAM而非EEFROM呢？如果對存儲容量沒有太高要求，而又需要頻繁的記錄重要數(shù)據(jù)，又不希望數(shù)據(jù)在斷電中無法保護(hù)，這種應(yīng)用比較適合FRAM。比如汽車中用到的黑匣子，主要記錄剎車信息以及事故前幾秒的情況。“在日本、在歐洲、在韓國如果你把發(fā)動機(jī)關(guān)了，或者意外事故掉地上了，當(dāng)前的模式、當(dāng)前的狀態(tài)一定記下來，比如說進(jìn)入隧道的時候，進(jìn)入隧道那個通信沒了，會先記錄下來。

富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

 
本文關(guān)鍵詞： FRAM  富士通

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